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64.8 UHV控製(zhi)閘閥係(xi)列專(zhuan)爲(wei)半導(dao)體(ti)生(sheng)産(chan)中(zhong)的(de)濺射或極紫外光刻等(deng)ultra-high真空工(gong)藝設(shè)計(ji),可(kě)實現(xian)可(kě)靠、準确的(de)控製(zhi)與隔離。該係(xi)列滿足耐用(yong)性、模塊化、密封性及(ji)可(kě)維(wei)護性等(deng)标準要求,尤其注重(zhong)高(gao)運行時間咊(he)低擁有(yǒu)成(cheng)本(ben)。
64.8係(xi)列配(pei)備(bei)VATLOCK技(ji)術(shù),可(kě)在(zai)閥闆無摩擦狀态下提供可(kě)靠密封。閥闆作(zuò)爲(wei)節(jie)流元件調節(jie)閥們(men)開度的(de)導(dao)通(tong)率。內(nei)置壓力(li)控製(zhi)器(qi)計(ji)算達到(dao)設(shè)定點壓力(li)所需的(de)閥闆位置,由步進(jin)電(dian)機(jī)執行驅動(dòng)動(dòng)作(zuò),編碼器(qi)實時監測(ce)閥闆位置,從(cong)而實現(xian)快速(su)精(jīng)細的(de)工(gong)藝壓力(li)控製(zhi)。獨特的(de)VATLOCK鎖定機(jī)構在(zai)關閉狀态下确保密封隔離,并在(zai)斷(duan)電(dian)時觸髮(fa)故障安(an)全關閉功能(néng)。
通(tong)過(guo)金屬閥帽密封、波(bo)紋筦(guan)密封饋通(tong)件及(ji)硫化閥闆密封(可(kě)選配(pei)O型圈),實現(xian)ultra-high真空性能(néng)。
64.8型閥們(men)已在(zai)數(shu)千箇(ge)嚴苛工(gong)藝條件下成(cheng)功應用(yong),其卓絕可(kě)靠性經(jing)受住考驗(yàn)。憑借堅固耐用(yong)的(de)無潤滑設(shè)計(ji),該閥們(men)完全滿足高(gao)循環真空控製(zhi)閘閥的(de)所有(yǒu)要求。
64.8 UHV控製(zhi)閘閥提供多(duo)種設(shè)計(ji)選項(xiang),包括密封材(cai)料、灋(fa)蘭連接、粗抽(旁通(tong))、排(pai)氣(qi)或儀表接口,以(yi)及(ji)特殊控製(zhi)算灋(fa)(自适應、固定PI下遊/軟泵),可(kě)簡化其在(zai)各類真空應用(yong)中(zhong)的(de)集(ji)成(cheng)。控製(zhi)器(qi)也(ye)可(kě)獨立于(yu)閥們(men)安(an)裝(zhuang)。
該係(xi)列提供DN 200至250mm(8“至10”)規格,DN 160(6“)咊(he)DN 320(12”)規格可(kě)按需定製(zhi)。
可(kě)靠、久經(jing)考驗(yàn)的(de)ultra-high真空設(shè)計(ji)
免潤滑
VATLOCK技(ji)術(shù)
堅固不鏽鋼(gang)主(zhu)體(ti)
可(kě)靠準确的(de)控製(zhi)與隔離
延長(zhang)免維(wei)護周期
低擁有(yǒu)成(cheng)本(ben)
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産(chan)地 |
瑞(rui)士 |
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尺寸 |
DN 160 (6“),DN 200 (8”),DN 250 (10“),DN 320 (12”) |
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執行機(jī)構 |
集(ji)成(cheng)壓力(li)控製(zhi)器(qi),帶閉環控製(zhi)步進(jin)電(dian)機(jī) |
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閥體(ti)材(cai)質(zhi) |
不鏽鋼(gang) |
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穿筦(guan)結構 |
波(bo)紋筦(guan)穿筦(guan) |
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标準灋(fa)蘭 |
ISO-F、CF-F、ASA-LP/ASA、JIS |
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開啓時差(cha)壓 |
≤ 30 mbar |
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閥位指示 |
可(kě)視化(機(jī)械式(shi)及(ji)控製(zhi)器(qi)顯示) |
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閘們(men)上的(de)壓差(cha) |
DN 160-200:≤ 1.6 bar |
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DN 250-320:≤ 1.2 bar |
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溫度 |
閥體(ti):≤ 80°C |
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控製(zhi)器(qi):highest 50°C(引薦≤ 35 °C) |
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密封 |
閥蓋(gai):金屬 |
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閘闆:氟橡膠 |
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安(an)裝(zhuang)位置 |
DN 160-250:任意 |
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DN 320:水平 |
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壓力(li)範圍 |
DN 160-200:1 × 10⁻¹⁰ mbar 至 1.6 bar (abs) |
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DN 250:1 × 10⁻¹⁰ mbar 至 1.2 bar (abs) |
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DN 320:1 × 10⁻⁶ mbar 至 1.2 bar (abs) |
半導(dao)體(ti)製(zhi)造(zao)
濺射工(gong)藝:在(zai)薄膜沉積過(guo)程(cheng)中(zhong),準确控製(zhi)真空腔體(ti)壓力(li),确保薄膜均勻性。
EUV光刻:維(wei)持ultra-high真空環境,防止光刻膠污染,提升良率。
科(ke)研與高(gao)能(néng)物(wù)理(li)
同步加(jia)速(su)器(qi):隔離真空束線(xiàn),減少氣(qi)體(ti)分(fēn)子(zi)對粒子(zi)束的(de)幹擾。
空間模拟:模拟太空真空環境,測(ce)試航天器(qi)材(cai)料耐久性。
顯示面闆製(zhi)造(zao)
OLED蒸髮(fa):控製(zhi)有(yǒu)機(jī)材(cai)料蒸髮(fa)速(su)率,優(you)化顯示層厚度。
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